VND1NV04-E和VND1NV0413TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VND1NV04-E VND1NV0413TR VND1NV04

描述 VN750 系列 6 A 36 V 60 mOhm 单 表面贴装 高压侧 驱动器 - P2PAK“ OMNIFET II ” :全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET“ OMNIFET II ” :全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 电源管理开关电源开关电源

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

输出接口数 1 1 1

输出电流 1.7 A - -

供电电流 0.1 mA - 0.1 mA

耗散功率 35 W 35000 mW 35000 mW

上升时间 500 ns - -

输出电流(Max) 1.7 A 1.7 A 1.7 A

输出电流(Min) 1.7 A - 1.7 A

输入数 1 1 -

下降时间 600 ns - -

耗散功率(Max) 35000 mW 35000 mW 35000 mW

漏源极电阻 - 250 mΩ -

极性 - N-Channel -

漏源击穿电压 - 40.0 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 1.70 A -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

高度 - - 2.4 mm

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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