“ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
电源开关/驱动器 1：1 N 通道 1.7A DPAK
得捷:
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK
艾睿:
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 1.7A Automotive 3-Pin2+Tab TO-252 T/R
输出接口数 1
漏源极电阻 250 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 35000 mW
漏源击穿电压 40.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 1.70 A
输出电流Max 1.7 A
输入数 1
耗散功率Max 35000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
VND1NV0413TR ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
VND1NV04 意法半导体 | 完全替代 | VND1NV0413TR和VND1NV04的区别 |
VND1NV04TR-E 意法半导体 | 类似代替 | VND1NV0413TR和VND1NV04TR-E的区别 |
VND1NV04-E 意法半导体 | 类似代替 | VND1NV0413TR和VND1NV04-E的区别 |