对比图
型号 SH8K32GZETB SH8M51GZETB
描述 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.5 A, 60 V, 0.046 ohm, 10 V, 2.5 V1个N沟道和1个P沟道 100V 2.5A 3A
数据手册 --
制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 SOP-8 SOIC-8
针脚数 8 -
漏源极电阻 0.046 Ω -
极性 Dual N-Channel -
耗散功率 2 W -
阈值电压 2.5 V -
漏源极电压(Vds) 60 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 4.5A -
上升时间 18 ns -
下降时间 13 ns -
封装 SOP-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS-conform RoHS Compliant
含铅标准 无铅 无铅
ECCN代码 EAR99 -