MMBT3702和MMBT4403LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT3702 MMBT4403LT1G MMBT4403LT3G

描述 PNP通用放大器 PNP General Purpose AmplifierON SEMICONDUCTOR  MMBT4403LT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -40 V, 200 MHz, 300 mW, -600 mA, 200 hFENPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 100 MHz 200 MHz 200 MHz

额定电压(DC) -25.0 V -40.0 V -40.0 V

额定电流 -800 mA -600 mA 600 mA

额定功率 - 225 mW -

针脚数 - 3 3

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 0.35 W 225 mW 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 25 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 0.8A 0.6A 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) 60 @50mA, 5V 100 @150mA, 2V 100 @150mA, 2V

额定功率(Max) 350 mW 300 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) - 200 100

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW 300 mW

最大电流放大倍数(hFE) 300 - -

长度 2.92 mm 2.9 mm 3.04 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 2.64 mm

高度 0.93 mm 0.94 mm 1.11 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司