FQB6N70TM和STB6N62K3

对比图

型号 FQB6N70TM STB6N62K3 STB6N52K3

描述 N沟道 700V 6.2AN 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics525V,1Ω,5A,N沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 - 3 -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 3.13 W 90 W 70W (Tc)

漏源极电压(Vds) 700 V 620 V 525 V

连续漏极电流(Ids) 6.20 A 5.5A 5A

输入电容(Ciss) 1400pF @25V(Vds) 875pF @50V(Vds) 670pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 3.13 W 90 W 70 W

耗散功率(Max) 3.13W (Ta), 142W (Tc) 90W (Tc) 70W (Tc)

额定电压(DC) 700 V - -

额定电流 6.20 A - -

通道数 1 - -

漏源极电阻 1.16 Ω 0.95 Ω -

漏源击穿电压 700 V - -

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

上升时间 70 ns - -

下降时间 50 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ - -

阈值电压 - 3.75 V -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 10.67 mm 10.75 mm -

宽度 9.65 mm 10.4 mm -

高度 4.83 mm 4.6 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2014/06/16 -

ECCN代码 EAR99 - -