JANS2N3700和JANTX2N3700

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANS2N3700 JANTX2N3700 2N3700

描述 低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTORSTMICROELECTRONICS  2N3700  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 500 mW, 1 A, 100 hFE

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-18-3 TO-18-3 TO-18

频率 - - 100 MHz

额定电压(DC) - - 80.0 V

额定电流 - - 1.00 A

针脚数 - - 3

极性 - - NPN

耗散功率 0.5 W 0.5 W 500 mW

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) 50 @500mA, 10V 50 @500mA, 10V 100 @150mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) - - 300

额定功率(Max) 500 mW 500 mW 500 mW

直流电流增益(hFE) - - 100

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 500 mW 500 mW 500 mW

封装 TO-18-3 TO-18-3 TO-18

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tray Bulk Bag

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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