对比图



描述 800V,0.19A,N沟道功率MOSFETINFINEON BSP324 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 400 V, 13.6 ohm, 10 V, 1.9 VINFINEON BSP129 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 240 V, 20 ohm, 10 V, -1.4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 4
封装 SOT-223 SOT-223 SOT-223
针脚数 - 3 4
漏源极电阻 - 13.6 Ω 20 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 1.80 W 1.7 W 1.7 W
阈值电压 - 1.9 V 1.4 V
漏源极电压(Vds) 800 V 400 V 240 V
连续漏极电流(Ids) 17.0 A 170 mA 120 mA
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
工作结温(Max) - 150 ℃ 150 ℃
上升时间 - - 4.1 ns
输入电容(Ciss) - - 82pF @25V(Vds)
下降时间 - - 4.1 ns
耗散功率(Max) - - 1.8 W
额定电压(DC) 800 V - -
额定电流 17.0 A - -
输入电容 2.32 nF - -
栅电荷 177 nC - -
封装 SOT-223 SOT-223 SOT-223
长度 - - 6.5 mm
宽度 - - 3.5 mm
高度 - - 1.6 mm
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2014/12/17