PEMB9,115和PEMB9,315

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PEMB9,115 PEMB9,315 NSBA114YDXV6T1

描述 SOT-666 PNP 50V 100mASOT-666 PNP 50V 100mASOT-563 PNP 50V 100mA

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 -

封装 SOT-666-6 SOT-563 SOT-563

极性 PNP PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 100 @5mA, 5V 100 @5mA, 5V 80 @5mA, 10V

额定功率(Max) 300 mW 300 mW 500 mW

耗散功率 200 mW - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 300 mW - -

额定电压(DC) - - -50.0 V

额定电流 - - -100 mA

高度 0.6 mm 0.6 mm -

封装 SOT-666-6 SOT-563 SOT-563

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

香港进出口证 - - NLR

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