IRF1018EPBF和IRFZ44VZPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF1018EPBF IRFZ44VZPBF STP60NF06

描述 INFINEON  IRF1018EPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 79 A, 60 V, 0.0071 ohm, 10 V, 4 VINTERNATIONAL RECTIFIER  IRFZ44VZPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 57A TO-220ABSTMICROELECTRONICS  STP60NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 110 W - -

通道数 1 - 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0071 Ω 12 mΩ 0.016 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 110 W 92 W 110 W

阈值电压 4 V 4 V 2 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60 V 60 V 60.0 V

连续漏极电流(Ids) 79A 57.0 A 60.0 A

上升时间 35 ns 62.0 ns 108 ns

输入电容(Ciss) 2290pF @50V(Vds) 1690pF @25V(Vds) 1660pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 110 W 92 W 110 W

下降时间 46 ns - 20 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 110W (Tc) - 110W (Tc)

额定电压(DC) - 60.0 V 60.0 V

额定电流 - 57.0 A 60.0 A

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

产品系列 - IRFZ44VZ -

输入电容 - 1690pF @25V -

栅电荷 - 65.0 nC -

长度 10.67 mm 10.66 mm 10.4 mm

宽度 4.83 mm - 4.6 mm

高度 9.02 mm 16.51 mm 9.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Rail, Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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