1N6377G和ICTE-15RL4G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N6377G ICTE-15RL4G ICTE15-E3/54

描述 1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向)Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor1500瓦峰值功率Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage SuppressorsVISHAY  ICTE15-E3/54  TVS二极管, AEC-Q450, AEC-Q101 ICTE系列, 单向, 15 V, 20.6 V, DO-201, 2 引脚

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 DO-201AD DO-201AD DO-201AA

额定电压(DC) 17.6 V - -

额定功率 1.50 kW - -

无卤素状态 Halogen Free - -

击穿电压 17.6 V 17.6 V 17.6 V

针脚数 2 - 2

耗散功率 1500 W 1.5 kW -

钳位电压 25 V 14 V 20.6 V

最大反向电压(Vrrm) 15V 15V -

测试电流 1 mA 1 mA 1 mA

最大反向击穿电压 17.6 V - 17.6 V

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1.5 kW

最小反向击穿电压 17.6 V 17.6 V 17.6 V

击穿电压 17.6 V - -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ 65 ℃ -55 ℃

工作结温 -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ -

工作电压 - - 15 V

电路数 - - 1

长度 9.5 mm - 9.5 mm

直径 5.30 mm - -

封装 DO-201AD DO-201AD DO-201AA

工作温度 -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Each Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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