NSBC124EPDXV6T1G和PEMD2,315

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NSBC124EPDXV6T1G PEMD2,315 NSBC124EPDXV6T1

描述 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor TransistorsSOT-666 NPN+PNP 50V 100mASOT-563 NPN+PNP 50V 100mA

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-563-6 SS-Mini-6 SOT-563

引脚数 6 6 -

额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V

额定电流 100 mA - 100 mA

极性 NPN+PNP NPN+PNP NPN+PNP

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 60 @5mA, 10V 60 @5mA, 5V 60 @5mA, 10V

额定功率(Max) 500 mW 300 mW 500 mW

耗散功率 0.5 W 0.3 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 500 mW 300 mW -

封装 SOT-563-6 SS-Mini-6 SOT-563

高度 - 0.6 mm -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -

ECCN代码 EAR99 - -

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