2SJ652和IRF5305PBF

对比图

型号 2SJ652 IRF5305PBF 2SJ553L-E

描述 MOSFET P-CH 60V 28A TO-220MLINFINEON  IRF5305PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -31 A, -55 V, 60 mohm, -10 V, -4 V硅P沟道MOS场效应晶体管 Silicon P Channel MOS FET

数据手册 ---

制造商 Sanyo Semiconductor (三洋) Infineon (英飞凌) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-220 TO-220-3 -

额定功率 - 110 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.06 Ω -

极性 P-Channel P-Channel -

耗散功率 30.0 W 110 W -

阈值电压 - 4 V -

输入电容 - 1200 pF -

漏源极电压(Vds) - 55 V -

漏源击穿电压 - 55 V -

连续漏极电流(Ids) 28.0 A 31A -

上升时间 - 66 ns -

输入电容(Ciss) - 1200pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 110 W -

下降时间 - 63 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 110W (Tc) -

长度 - 10.54 mm -

宽度 - 4.69 mm -

高度 - 8.77 mm -

封装 TO-220 TO-220-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free