2N3810U和JANTXV2N3810U

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N3810U JANTXV2N3810U 2N3810DCSM

描述 PNP硅晶体管双 PNP SILICON DUAL TRANSISTORTrans GP BJT PNP 60V 0.05A 6Pin Case UDUAL HIGH GAIN PNP TRANSISTORS IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Semelab

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

引脚数 6 6 6

封装 TO-78-6 TO-78-6 CLLCC-2

安装方式 Through Hole Through Hole -

工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 350 mW - 600 mW

极性 PNP - -

耗散功率 0.35 W - -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V -

集电极最大允许电流 0.05A - -

最小电流放大倍数(hFE) 150 @1mA, 5V 150 @1mA, 5V -

额定功率(Max) 350 mW 350 mW -

封装 TO-78-6 TO-78-6 CLLCC-2

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bulk -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead -

材质 Silicon - -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -

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