对比图
型号 2N3810U JANTXV2N3810U 2N3810DCSM
描述 PNP硅晶体管双 PNP SILICON DUAL TRANSISTORTrans GP BJT PNP 60V 0.05A 6Pin Case UDUAL HIGH GAIN PNP TRANSISTORS IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Semelab
分类 双极性晶体管双极性晶体管
引脚数 6 6 6
封装 TO-78-6 TO-78-6 CLLCC-2
安装方式 Through Hole Through Hole -
工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃
耗散功率(Max) 350 mW - 600 mW
极性 PNP - -
耗散功率 0.35 W - -
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V -
集电极最大允许电流 0.05A - -
最小电流放大倍数(hFE) 150 @1mA, 5V 150 @1mA, 5V -
额定功率(Max) 350 mW 350 mW -
封装 TO-78-6 TO-78-6 CLLCC-2
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Bulk -
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead -
材质 Silicon - -
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -
ECCN代码 - EAR99 -