FDC645N和PMN40LN,135

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDC645N PMN40LN,135 SI3424CDV-T1-GE3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC645N  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1.4 VNXP  PMN40LN,135  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 0.032 ohm, 10 V, 1.5 VTSOP-6 N-CH 30V 8A 26mΩ

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 TSOT-23-6 SOT-457 TSOP-6

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 5.50 A - -

通道数 1 - -

针脚数 6 6 -

漏源极电阻 0.023 Ω 0.032 Ω 26 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 1.6 W 1.75 W 2 W

阈值电压 1.4 V 1.5 V 2.5 V

输入电容 1.46 nF - -

栅电荷 13.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V - -

栅源击穿电压 ±12.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 5.50 A 5.40 A 8A

上升时间 9 ns 7 ns -

输入电容(Ciss) 1460pF @15V(Vds) 555pF @25V(Vds) 405pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 800 mW 1.75 W -

下降时间 7 ns 8 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.6W (Ta) 1.75W (Tc) 2000 mW

长度 3 mm 3.1 mm -

宽度 1.7 mm 1.7 mm -

高度 1 mm 1 mm -

封装 TSOT-23-6 SOT-457 TSOP-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - - 3000

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -

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