AD648JRZ和AD648JRZ-REEL7

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AD648JRZ AD648JRZ-REEL7 TL032CD

描述 ANALOG DEVICES  AD648JRZ  运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 1.8 V/µs, ± 4.5V 至 ± 18V, SOIC, 8 引脚IC OPAMP JFET 1MHz 8SOICTEXAS INSTRUMENTS  TL032CD  运算放大器, 双路, 1.1 MHz, 2个放大器, 5.1 V/µs, ± 5V 至 ± 15V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - - 15.0 V

输出电流 - - ≤40 mA

供电电流 340 µA 340 µA 434 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 - 8

共模抑制比 70 dB 70 dB 75dB ~ 94dB

输入补偿漂移 - - 9.70 µV/K

带宽 1 MHz - 1.1 MHz

转换速率 1.80 V/μs 1.80 V/μs 2.90 V/μs

增益频宽积 1 MHz 1 MHz 1 MHz

输入补偿电压 750 µV 750 µV 570 µV

输入偏置电流 5 pA 5 pA 2 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

增益带宽 1 MHz 1 MHz 1.1 MHz

共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 70 dB

电源电压(Max) 18 V - 30 V

电源电压(Min) - - 10 V

耗散功率 0.5 W 0.5 W -

输入电容 3.00 pF 3.00 pF -

输入阻抗 3.00 TΩ 3.00 TΩ -

耗散功率(Max) 500 mW 500 mW -

长度 - - 4.9 mm

宽度 4 mm 4 mm 3.91 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

军工级 Yes No -

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