IXFN48N50和IXTN79N20

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFN48N50 IXTN79N20 STE53NC50

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN48N50  晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 500 V, 100 mohm, 10 V, 4 VMOSFET N-CH 200V 79A SOT-227STMICROELECTRONICS  STE53NC50  晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 500 V, 80 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Screw Screw Surface Mount

引脚数 4 - 4

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 ISOTOP-4

额定电压(DC) 500 V - 500 V

额定电流 48.0 A - 53.0 A

额定功率 520 W 400 W 460 W

针脚数 3 - 4

漏源极电阻 0.1 Ω - 0.08 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 520 W - 460 W

阈值电压 4 V - 3 V

漏源极电压(Vds) 500 V 200 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 48.0 A - 53.0 A

上升时间 60.0 ns - 70 ns

输入电容(Ciss) 8400pF @25V(Vds) - 11200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 520 W - 460 W

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

耗散功率(Max) 520W (Tc) - 460W (Tc)

通道数 - - 1

漏源击穿电压 - - 500 V

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

隔离电压 - - 2.50 kV

下降时间 - - 38 ns

工作温度(Min) - - -65 ℃

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 ISOTOP-4

长度 - - 38.2 mm

宽度 - - 25.5 mm

高度 - - 9.1 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

HTS代码 8541290095 - -

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