对比图
型号 IRF6623 IRF6623TR1 IRF6623TRPBF
描述 Direct-FET N-CH 20V 16ADirect-FET N-CH 20V 16AINFINEON IRF6623TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 20 V, 0.0044 ohm, 10 V, 2.2 V 新
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 DirectFET-ST Direct-FET Direct-FET
引脚数 - 7 7
通道数 1 - 1
漏源极电阻 5.7 mΩ 0.0044 Ω 0.0044 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 42 W 2.1 W 42 W
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
漏源击穿电压 20 V 20.0 V 20 V
连续漏极电流(Ids) 16A 16.0 A 16A
上升时间 40 ns 40.0 ns 40 ns
输入电容(Ciss) 1360pF @10V(Vds) 1360pF @10V(Vds) 1360pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 1.4 W 1.4 W 1.4 W
下降时间 4.5 ns - 4.5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 40 ℃ - 40 ℃
耗散功率(Max) 1.4W (Ta), 42W (Tc) 1.4W (Ta), 42W (Tc) 1.4W (Ta), 42W (Tc)
额定电压(DC) - 20.0 V -
额定电流 - 16.0 A -
产品系列 - IRF6623 -
阈值电压 - 2.2 V 2.2 V
额定功率 - - 42 W
针脚数 - - 7
输入电容 - - 1360 pF
长度 4.85 mm - 4.85 mm
宽度 3.95 mm - 3.95 mm
高度 0.7 mm - 0.7 mm
封装 DirectFET-ST Direct-FET Direct-FET
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17