2SB1386T100R和FJC1386RTF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SB1386T100R FJC1386RTF 2SB1386T100Q

描述 ROHM  2SB1386T100R  单晶体管 双极, PNP, 20 V, 120 MHz, 500 mW, 4 A, 82 hFEPNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon TransistorROHM  2SB1386T100Q  单晶体管 双极, 双路, PNP, 20 V, 120 MHz, 500 mW, 4 A, 82 hFE

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Fairchild (飞兆/仙童) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-89 SOT-89-3 TO-243

额定电压(DC) -20.0 V -20.0 V -20.0 V

额定电流 -5.00 A -5.00 A -5.00 A

针脚数 3 - 3

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 500 mW 500 mW 500 mW

增益频宽积 - - 120 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 20 V 20 V 20 V

集电极最大允许电流 5A 5A 5A

最小电流放大倍数(hFE) 180 @500mA, 2V 180 @500mA, 2V 120 @500mA, 2V

最大电流放大倍数(hFE) 390 390 390

额定功率(Max) 2 W 500 mW 2 W

直流电流增益(hFE) 82 - 82

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW - 2000 mW

额定功率 2 W - -

长度 - 4.7 mm 4.5 mm

宽度 2.5 mm 2.7 mm 2.5 mm

高度 - 1.7 mm 1.5 mm

封装 SOT-89 SOT-89-3 TO-243

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Not For New Designs Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司