ILD217T和MOCD217R2M

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ILD217T MOCD217R2M MOCD208R2M

描述 光耦合器,晶体管输出,IL、ILD、ILQ 系列,Vishay Semiconductor### 光耦合器,Vishay SemiconductorFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MOCD217R2M  光电耦合器, 晶体管输出, 2通道, SOIC, 8 引脚, 60 mA, 2.5 kV, 100 %Fairchild Semiconductor### 光耦合器,Fairchild Semiconductor

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 光耦合器/光隔离器光耦合器/光隔离器光耦合器/光隔离器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

上升/下降时间 3μs, 4.7μs 3.2µs, 4.7µs 3.2µs, 4.7µs

输入电压(DC) - 1.05 V 1.25 V

输出电压 70.0 V 30.0 V ≤70.0 V

电路数 - 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 8

正向电压 1.2 V 1.05 V 1.25 V

耗散功率 0.3 W 250 mW 0.25 W

上升时间 0.005 ms 3.2 µs 1.6 µs

隔离电压 4000 Vrms 2500 Vrms 2500 Vrms

正向电流 30 mA 60 mA 60 mA

输出电压(Max) 70 V 30 V 70 V

输入电流(Min) 30 mA 60 mA 60 mA

击穿电压 6 V 6 V 6 V

正向电压(Max) 1.55 V 1.3 V 1.55 V

正向电流(Max) 30 mA 60 mA 60 mA

下降时间 0.004 ms 4.7 µs 2.2 µs

工作温度(Max) 100 ℃ 100 ℃ 100 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 250 mW 250 mW

额定电压(DC) 1.20 V - -

输入电流 10.0 mA 10.0 mA -

宽度 - 4.16 mm 4.16 mm

高度 - 3.43 mm 3.43 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5.13 mm -

工作温度 -55℃ ~ 100℃ -40℃ ~ 100℃ -40℃ ~ 100℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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