MJD31CT4和MJD31CT4G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJD31CT4 MJD31CT4G NJVMJD31CT4G

描述 互补功率晶体管 Complementary Power TransistorsON SEMICONDUCTOR  MJD31CT4G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFEON SEMICONDUCTOR  NJVMJD31CT4G  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 100 V 100 V -

额定电流 3.00 A 3.00 A -

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

最小电流放大倍数(hFE) 10 @3A, 4V 10 @3A, 4V 25 @1A, 4V

额定功率(Max) 1.56 W 1.56 W 1.56 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1560 mW 1560 mW 15000 mW

频率 - 3 MHz 3 MHz

针脚数 - 3 3

极性 - NPN NPN

耗散功率 - 15 W 15 W

增益频宽积 - 3 MHz -

集电极最大允许电流 - 3A 3A

直流电流增益(hFE) - 10 10

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.38 mm -

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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