FP30R06W1E3和FP30R06W1E3BOMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FP30R06W1E3 FP30R06W1E3BOMA1 FP30R06W1E3B11BOMA1

描述 INFINEON  FP30R06W1E3  晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 30 A, 1.55 V, 115 W, 600 V, Module晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 37 A, 1.55 V, 115 W, 600 V, ModuleInfineon FP30R06W1E3B11BOMA1 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 37 A, Vce=600 V, 23引脚 EASY1B封装

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Screw - -

引脚数 23 20 23

封装 EASY1B-1 AG-EASY1B-1 AG-EASY1B-2

针脚数 23 - -

极性 N-Channel - -

耗散功率 115 W 115 W 115000 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 115000 mW 115000 mW 115000 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 600 V 600 V

输入电容(Cies) - 1.65nF @25V 1.65nF @25V

额定功率(Max) - 115 W 115 W

长度 62.8 mm - 48 mm

宽度 33.8 mm - 33.8 mm

高度 12 mm - 12 mm

封装 EASY1B-1 AG-EASY1B-1 AG-EASY1B-2

工作温度 -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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