对比图
型号 STE110NS20FD STE48NM50 STE70NM50
描述 N沟道200V - 0.022W - 110A ISOTOP MESH OVERLAY⑩功率MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.022W - 110A ISOTOP MESH OVERLAY⑩ Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STE48NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 550 V, 0.08 ohm, 30 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STE70NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 500 V, 45 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Screw Surface Mount Screw
引脚数 4 4 4
封装 ISOTOP-4 ISOTOP-4 ISOTOP-4
额定电压(DC) 200 V 550 V 500 V
额定电流 110 A 48.0 A 70.0 A
额定功率 - - 600 W
针脚数 - 4 4
漏源极电阻 24.0 mΩ 80 mΩ 45 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 500 W 450 W 600 W
阈值电压 - 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 200 V 550 V 500 V
漏源击穿电压 200 V 500 V 500 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 110 A 48.0 A 30.0 A
上升时间 130 ns 35 ns 58 ns
输入电容(Ciss) 7900pF @25V(Vds) 3700pF @25V(Vds) 7500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 500 W 450 W 600 W
下降时间 140 ns 23 ns 46 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 500W (Tc) 450W (Tc) 600W (Tc)
通道数 - 1 -
长度 38.2 mm 38.2 mm 38.2 mm
宽度 25.5 mm 25.5 mm 25.5 mm
高度 9.1 mm 12.2 mm 9.1 mm
封装 ISOTOP-4 ISOTOP-4 ISOTOP-4
工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99