FQD20N06和FQD20N06TF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQD20N06 FQD20N06TF FQD20N06TM

描述 MOS(场效应管)/FQD20N06N沟道 60V 16.8AON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD20N06TM, 17 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 DPAK TO-252-3 TO-252-3

引脚数 - - 3

额定电压(DC) - 60.0 V -

额定电流 - 16.8 A -

漏源极电阻 - 63.0 mΩ 0.05 Ω

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 - 2.5W (Ta), 38W (Tc) 2.5 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 - 60.0 V -

栅源击穿电压 - ±25.0 V -

连续漏极电流(Ids) 16.8A 16.8 A -

输入电容(Ciss) - 590pF @25V(Vds) 450pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W 2.5 W

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 38W (Tc) 2.5 W

针脚数 - - 3

阈值电压 - - 4 V

上升时间 - - 45 ns

下降时间 - - 25 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 DPAK TO-252-3 TO-252-3

长度 - - 6.6 mm

宽度 - - 6.1 mm

高度 - - 2.3 mm

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 - EAR99 -

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