对比图
型号 STS6PF30L STS7PF30L STS3DPF60L
描述 P沟道30V - 0.027欧姆 - 6A SO- 8 STripFET⑩功率MOSFET P-CHANNEL 30V - 0.027 ohm - 6A SO-8 STripFET⑩ POWER MOSFETP沟道30V - 0.016ohm - 7A SO- 8 STripFET⑩ II功率MOSFET P-CHANNEL 30V - 0.016ohm - 7A SO-8 STripFET⑩ II POWER MOSFET双P沟道60V - 0.10欧姆 - 3A SO- 8 MOSFET的STripFET DUAL P-CHANNEL 60V - 0.10 ohm - 3A SO-8 STripFET MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -60.0 V
额定电流 -6.00 A -7.00 A -3.00 A
漏源极电阻 30.0 mΩ 0.016 Ω 120 mΩ
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 2.5W (Tc) 2.5 W 2 W
阈值电压 - 1.6 V -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 60 V
漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V 60.0 V
栅源击穿电压 ±16.0 V ±20.0 V ±16.0 V
连续漏极电流(Ids) 6.00 A 7.00 A 3.00 A
上升时间 140 ns 54 ns 54 ns
输入电容(Ciss) 1670pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds) 630pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 2.5 W 2 W
下降时间 19 ns 23 ns 14.5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Tc) 2.5W (Tc) 2 W
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 - - 5 mm
宽度 - - 4 mm
高度 - - 1.65 mm
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -