BC848CW和BC848CW-7-F

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC848CW BC848CW-7-F BC848CW-13

描述 NPN硅晶体管自动对焦( AF对于输入级和驱动器应用高电流增益低集电极 - 发射极饱和电压) NPN Silicon AF Transistor (For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage)Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3Pin SOT-323 T/RSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOT-323-3-1 SOT-323 -

引脚数 - 3 -

封装 SOT-323-3-1 SOT-323 -

产品生命周期 End of Life Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

极性 - NPN -

耗散功率 - 200 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 30 V -

集电极最大允许电流 - 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) - 420 @2mA, 5V -

额定功率(Max) - 200 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 200 mW -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -

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