IPD50R280CEATMA1和IPD50R280CEAUMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPD50R280CEATMA1 IPD50R280CEAUMA1 IPD50R280CE

描述 INFINEON  IPD50R280CEATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.25 ohm, 13 V, 3 V晶体管, MOSFET, N沟道, 18.1 A, 500 V, 0.25 ohm, 13 V, 3 VInfineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 92 W - -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.25 Ω 0.25 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 92 W 119 W 119 W

阈值电压 3 V 3 V -

漏源极电压(Vds) 550 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 13A 13A 13A

上升时间 6.4 ns 6.4 ns 6.4 ns

输入电容(Ciss) 773pF @100V(Vds) 773pF @100V(Vds) 773pF @100V(Vds)

下降时间 7.6 ns 7.6 ns 7.6 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 119W (Tc) 119W (Tc) 92W (Tc)

额定功率(Max) - - 92 W

长度 6.5 mm - 6.73 mm

宽度 6.22 mm - 6.22 mm

高度 2.3 mm - 2.41 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

REACH SVHC标准 - - No SVHC

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