FDS8878和FDS8878_NL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS8878 FDS8878_NL SI4410DYTRPBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8878  晶体管, MOSFET, N沟道, 10.2 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 2.5 VN沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFETINFINEON  SI4410DYTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 30 V, 0.01 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

通道数 - - 1

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 0.011 Ω - 0.01 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 2.5 W - 2.5 W

阈值电压 2.5 V - 1 V

输入电容 897 pF - 1585 pF

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V - 30 V

上升时间 29.0 ns - 7.7 ns

输入电容(Ciss) 897pF @15V(Vds) - 1585pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W - 2.5 W

下降时间 - - 44 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - 2.5W (Ta)

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 10.2 A - -

栅电荷 17.0 nC - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 10.2 A 10.2A -

长度 5 mm - 4.9 mm

宽度 4 mm - 3.9 mm

高度 1.5 mm - 1.75 mm

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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