对比图
型号 FQB65N06 FQB65N06TM_NL FQB65N06TM
描述 60V N沟道MOSFET 60V N-Channel MOSFET60V N-Channel QFET MosfetN沟道 60V 65A
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管
安装方式 - - Surface Mount
封装 D2PAK D2PAK TO-263-3
额定电压(DC) - - 60.0 V
额定电流 - - 65.0 A
漏源极电阻 - - 16.0 mΩ
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 - - 3.75W (Ta), 150W (Tc)
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 - - 60.0 V
栅源击穿电压 - - ±25.0 V
连续漏极电流(Ids) 65A 65A 65.0 A
输入电容(Ciss) - - 2410pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 3.75 W
耗散功率(Max) - - 3.75W (Ta), 150W (Tc)
封装 D2PAK D2PAK TO-263-3
工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 - - Tape
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
ECCN代码 - EAR99 EAR99