对比图
型号 BCP5416E6327HTSA1 BCP5416QTA BCP54-16E6327
描述 SOT-223 NPN 45V 1ANPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Diodes (美台) Siemens Semiconductor (西门子)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
引脚数 4 4 -
封装 SOT-223 SOT-223 -
安装方式 Surface Mount - -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -
耗散功率(Max) 2000 mW 2000 mW -
频率 100 MHz - -
极性 NPN - -
耗散功率 2 W - -
击穿电压(集电极-发射极) 45 V - -
集电极最大允许电流 1A - -
封装 SOT-223 SOT-223 -
工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -
材质 Silicon - -
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 Lead Free Lead Free -
ECCN代码 EAR99 - -