BCP5416E6327HTSA1和BCP5416QTA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCP5416E6327HTSA1 BCP5416QTA BCP54-16E6327

描述 SOT-223 NPN 45V 1ANPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Diodes (美台) Siemens Semiconductor (西门子)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

引脚数 4 4 -

封装 SOT-223 SOT-223 -

安装方式 Surface Mount - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 2000 mW 2000 mW -

频率 100 MHz - -

极性 NPN - -

耗散功率 2 W - -

击穿电压(集电极-发射极) 45 V - -

集电极最大允许电流 1A - -

封装 SOT-223 SOT-223 -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -

材质 Silicon - -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 EAR99 - -

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