IRF830APBF和BUK7506-55B,127

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF830APBF BUK7506-55B,127 SPP08N50C3

描述 功率MOSFET Power MOSFETTO-220AB N-CH 55V 145AInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 500 V - 560 V

额定电流 5.00 A - 7.60 A

针脚数 3 - -

漏源极电阻 1.4 Ω - 600 mΩ

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 74 W 254 W 83 W

阈值电压 4.5 V - -

输入电容 620 pF - -

栅电荷 24.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 500 V 55 V 560 V

漏源击穿电压 500 V - 560 V

连续漏极电流(Ids) 5.00 A 145A 7.60 A

上升时间 21.0 ns 46 ns 5 ns

输入电容(Ciss) 620pF @25V(Vds) 5100pF @25V(Vds) 750pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 74 W 254 W 83 W

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 74 W 254W (Tc) 83 W

下降时间 - 39 ns 7 ns

通道数 - - 1

长度 10.41 mm - 10 mm

宽度 4.7 mm - 4.4 mm

高度 9.01 mm - 15.65 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Rail, Tube Tube

最小包装 50 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

ECCN代码 - - EAR99

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