对比图
型号 SIHF12N60E-E3 SIHF12N60E-GE3 SPA11N65C3
描述 VISHAY SIHF12N60E-E3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 2 VVISHAY SIHF12N60E-GE3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 2 VINFINEON SPA11N65C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)
分类 中高压MOS管中高压MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.32 Ω 0.32 Ω 380 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 33 W 33 W 33 W
阈值电压 2 V 2 V 3 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 650 V
上升时间 - 19 ns 5 ns
下降时间 - 19 ns 5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
额定电压(DC) - - 650 V
额定电流 - - 11.0 A
通道数 - - 1
输入电容 - - 1.20 nF
栅电荷 - - 60.0 nC
漏源击穿电压 - - 650 V
连续漏极电流(Ids) - - 11.0 A
输入电容(Ciss) - - 1200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 33 W
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 33 W
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3
长度 - - 10.65 mm
宽度 - - 4.85 mm
高度 - - 16.15 mm
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tube Tube Tube
产品生命周期 - - Active
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99