VND7NV04-E和VND7NV0413TR

对比图

型号 VND7NV04-E VND7NV0413TR VND7NV04

描述 STMICROELECTRONICS  VND7NV04-E  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 55 V, 60 mohm, 5 V, 2.5 Vâ ???? OMNIFET IIA ???? ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETâ ???? OMNIFET IIA ???? ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管FET驱动器FET驱动器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) - - 40.0 V

额定电流 - - 6.00 A

输出接口数 1 1 1

漏源极电阻 0.06 Ω 60.0 mΩ 60.0 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 60 W 60000 mW 60 W

漏源击穿电压 40.0 V 40.0 V 42 V

连续漏极电流(Ids) 6.00 A 6.00 A 6.00 A

输出电流(Max) 6 A 6 A 6 A

输入数 1 1 1

耗散功率(Max) 60000 mW 60000 mW 60000 mW

额定功率 60 W - -

输出电压 40 V - -

输出电流 6 A - -

供电电流 0.1 mA - -

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

阈值电压 2.5 V - -

漏源极电压(Vds) 55 V - -

输出电流(Min) 6 A - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

高度 2.4 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99