对比图
型号 IRFZ46ZSPBF STB55NF06T4 STB60NF06T4
描述 Trans MOSFET N-CH 55V 51A 3Pin(2+Tab) D2PAK TubeN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN沟道60V - 0.014ヘ - 60A - D2PAK / I2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.014ヘ - 60A - D2PAK/I2PAK STripFET⑩ II Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 55.0 V 60.0 V 60.0 V
额定电流 51.0 A 50.0 A 60.0 A
通道数 1 1 -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.015 Ω 15.0 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 82 W 110 W 110 W
阈值电压 4 V 3 V -
漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 - 60.0 V 60.0 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 51.0 A 50.0 A 60.0 A
上升时间 63.0 ns 50 ns 108 ns
输入电容(Ciss) 1460pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 1810pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 82 W 110 W 110 W
下降时间 - 15 ns 20 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 110W (Tc) 110W (Tc)
产品系列 IRFZ46ZS - -
长度 - 10.4 mm -
宽度 - 9.35 mm -
高度 - 4.6 mm -
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
ECCN代码 - EAR99 EAR99