对比图
型号 IXDR30N120D1 IXGH10N60AU1 STGP10NB60S
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXDR30N120D1 单晶体管, IGBT, 隔离, 50 A, 2.4 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 引脚Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 100000mW 3Pin(3+Tab) TO-247ADSTMICROELECTRONICS STGP10NB60S 单晶体管, IGBT, 29 A, 1.35 V, 80 W, 600 V, TO-220, 3 引脚
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247 TO-247 TO-220-3
针脚数 3 - 3
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 200 W 100000 mW 80 W
上升时间 70 ns - -
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V - 600 V
反向恢复时间 40 ns - -
额定功率(Max) 200 W - 80 W
下降时间 70 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 200000 mW 100000 mW 80000 mW
额定电压(DC) - 600 V 600 V
额定电流 - 20.0 A 10.0 A
漏源极电压(Vds) - - 600 V
连续漏极电流(Ids) - - 10.0 A
长度 16.13 mm - 10.4 mm
宽度 5.21 mm - 4.6 mm
高度 21.34 mm 21.46 mm 9.15 mm
封装 TO-247 TO-247 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99