对比图
描述 OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-TransistorSTMICROELECTRONICS STD18N55M5 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 - 3
封装 TO-252 TO-252-3
通道数 - 1
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.18 Ω
极性 - N-Channel
耗散功率 - 90 W
阈值电压 - 4 V
漏源极电压(Vds) 30 V 550 V
漏源击穿电压 - 550 V
连续漏极电流(Ids) - 16A
上升时间 - 9.5 ns
输入电容(Ciss) 1900pF @15V(Vds) 1260pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 47 W 90 W
下降时间 - 13 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 110W (Tc)
长度 - 6.6 mm
宽度 - 6.2 mm
高度 - 2.4 mm
封装 TO-252 TO-252-3
材质 - Silicon
工作温度 - 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17