SI4542DY和SI4542DY-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI4542DY SI4542DY-E3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  SI4542DY  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.5 VMOSFET 30V 6.9/6.1A 2W

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 -

封装 SOIC-8 SO-8

额定电压(DC) 30.0 V -

额定电流 7.00 A -

针脚数 8 -

漏源极电阻 0.019 Ω 25.0 mΩ

极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel

耗散功率 2 W 2.00 W

阈值电压 1.5 V -

漏源极电压(Vds) 30 V -

漏源击穿电压 ±30.0 V 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 6.00 A 6.90 A

输入电容(Ciss) 830pF @15V(Vds) -

额定功率(Max) 1 W -

工作温度(Max) 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1.6 W -

长度 4.9 mm 4.9 mm

宽度 3.9 mm 3.9 mm

高度 1.575 mm 1.75 mm

封装 SOIC-8 SO-8

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 -

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