对比图
型号 CSD87502Q2 CSD87502Q2T CSD85301Q2
描述 30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、双路 SON2x2、42mΩ 6-WSON -55 to 150TEXAS INSTRUMENTS CSD87502Q2T 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5 A, 30 V, 0.027 ohm, 10 V, 1.6 VCSD85301Q2，双路 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 WSON-FET-6 WSON-FET-6 WSON-FET-6
通道数 2 - 2
漏源极电阻 42 mΩ 0.027 Ω 27 mΩ
极性 N-CH Dual N-Channel N-CH
耗散功率 2.3 W 2.3 W 2.3 W
阈值电压 1.6 V 1.6 V 600 mV, 600 mV
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 20 V
漏源击穿电压 30 V - ±20 V
连续漏极电流(Ids) 5A 5A 5A
上升时间 11 ns 11 ns 26 ns
输入电容(Ciss) 353pF @15V(Vds) 353pF @15V(Vds) 469pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 2.3 W 2.3 W 2.3 W
下降时间 3 ns 3 ns 15 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2300 mW 2300 mW 2300 mW
针脚数 - 6 -
长度 2 mm 2 mm 2 mm
宽度 2 mm 2 mm 2 mm
高度 0.75 mm 0.75 mm 0.75 mm
封装 WSON-FET-6 WSON-FET-6 WSON-FET-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 Active 正在供货
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -
ECCN代码 - EAR99 -