对比图
型号 SPA15N60CFD STF16N65M5 R6012ANX
描述 CoolMOSTM功率晶体管特性的内在快速恢复体二极管 CoolMOSTM Power Transistor Features Intrinsic fast-recovery body diodeSTMICROELECTRONICS STF16N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 650 V, 0.23 ohm, 10 V, 4 VN 通道 MOSFET 晶体管，ROHM### MOSFET 晶体管，ROHM Semiconductor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 34 W 90 W 50 W
漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 13.4 A 12A -
上升时间 24 ns 7 ns 30 ns
输入电容(Ciss) 1820pF @25V(Vds) 1250pF @100V(Vds) 1300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 34 W 25 W 50 W
下降时间 5 ns 8 ns 35 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 34000 mW 25000 mW 50W (Tc)
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.23 Ω 420 mΩ
阈值电压 - 4 V -
输入电容 - 1250 pF -
漏源击穿电压 - - 600 V
长度 10.65 mm 10.4 mm 10.3 mm
宽度 4.85 mm 4.6 mm 4.8 mm
高度 16.15 mm 9.3 mm 15.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Not Recommended Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -