BCR133和BCR133E6433

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCR133 BCR133E6433 2N2484

描述 InfineonInfineon 的一系列双极性结点晶体,配有集成电阻器,允许直接从数字来源驱动,无需其他元件。 双电阻器设备具有串行输入电阻器和连接晶体管基座与发射器的电阻器。### 数字晶体管,Infineon配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。Infineon Infineon 的一系列双极性结点晶体,配有集成电阻器,允许直接从数字来源驱动,无需其他元件。 双电阻器设备具有串行输入电阻器和连接晶体管基座与发射器的电阻器。 数字晶体管,Infineon 配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。NPN硅低功率晶体管 NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23 SOT-23 TO-18

耗散功率 - - 0.36 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 60 V

最小电流放大倍数(hFE) 30 30 225 @10mA, 5V

额定功率(Max) - - 360 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) 200 mW 200 mW 360 mW

额定电压(DC) - 50.0 V -

额定电流 - 100 mA -

极性 NPN NPN -

集电极最大允许电流 100mA 100mA -

封装 SOT-23 SOT-23 TO-18

长度 2.9 mm 2.9 mm -

宽度 1.3 mm 1.3 mm -

高度 0.9 mm 0.9 mm -

材质 - - Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 End of Life End of Life Active

包装方式 - Tape Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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