对比图
型号 7834 IRF7834 IRF7834PBF
描述 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,SOIC N-CH 30V 19AN 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
封装 - SO-8 SOIC-8
引脚数 - - 8
极性 - N-CH N-Channel
耗散功率 - 2.5W (Ta) 2.5 W
漏源极电压(Vds) - 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) - 19A 19A
输入电容(Ciss) - 3710pF @15V(Vds) 3710pF @15V(Vds)
耗散功率(Max) - 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
额定功率 - - 2.5 W
上升时间 - - 14.3 ns
下降时间 - - 5 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
封装 - SO-8 SOIC-8
长度 - - 5 mm
宽度 - - 4 mm
高度 - - 1.5 mm
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 - - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Contains Lead Lead Free