对比图
描述 单P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFETP沟道30V - 0.016ohm - 7A SO- 8 STripFET⑩ II功率MOSFET P-CHANNEL 30V - 0.016ohm - 7A SO-8 STripFET⑩ II POWER MOSFETSOP N-CH 20V 5A
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOP
引脚数 8 8 -
极性 P-Channel P-Channel N-CH
漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 20 V
连续漏极电流(Ids) 8.00 A 7.00 A 5A
额定电压(DC) -20.0 V -30.0 V -
额定电流 -8.00 A -7.00 A -
漏源极电阻 19.0 mΩ 0.016 Ω -
耗散功率 2.5W (Ta) 2.5 W -
阈值电压 - 1.6 V -
漏源击穿电压 - 30.0 V -
栅源击穿电压 ±10.0 V ±20.0 V -
上升时间 15.0 ns 54 ns -
输入电容(Ciss) 2260pF @10V(Vds) 2600pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 1 W 2.5 W -
下降时间 - 23 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Tc) -
输入电容 2.26 nF - -
栅电荷 23.0 nC - -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOP
产品生命周期 Unknown Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -
ECCN代码 EAR99 - -