对比图
型号 IPA50R199CP STF23NM50N IPP50R199CP
描述 INFINEON IPA50R199CP 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STF23NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 500 V, 0.162 ohm, 10 V, 3 VINFINEON IPP50R199CP. 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.18 Ω 0.162 Ω 0.18 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 139 W 30 W 139 W
阈值电压 3 V 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 550 V
上升时间 14 ns 19 ns 14 ns
输入电容(Ciss) 1800pF @100V(Vds) 1330pF @50V(Vds) 1800pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 139 W 30 W 139 W
下降时间 10 ns 29 ns 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 139W (Tc) 30W (Tc) -
通道数 1 - 1
漏源击穿电压 - - 500 V
连续漏极电流(Ids) 17.0 A - 17.0 A
长度 10.65 mm 10.4 mm 10 mm
宽度 4.85 mm 4.6 mm 4.4 mm
高度 16.15 mm 16.4 mm 15.65 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99