对比图
型号 IRLR2705TRLPBF STD20NF06T4 STD15NF10T4
描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 0.04Ω; ID 28A; D-Pak (TO-252AA); PD 68W; -55deSTMICROELECTRONICS STD20NF06T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 60 V, 32 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STD15NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 55.0 V 60.0 V 100 V
额定电流 24.0 A 24.0 A 23.0 A
漏源极电阻 0.065 Ω 0.032 Ω 0.065 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 68 W 60 W 70 W
产品系列 IRLR2705 - -
输入电容 880pF @25V - -
漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 100 V
漏源击穿电压 55 V 60.0 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 28.0 A 24.0 A 23.0 A
上升时间 100 ns 30 ns 45 ns
输入电容(Ciss) 880pF @25V(Vds) 690pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 68 W 60 W 70 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
额定功率 - 60 W -
针脚数 - 3 3
阈值电压 - 4 V 3 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
下降时间 - 8 ns 17 ns
耗散功率(Max) - 60W (Tc) 70W (Tc)
通道数 - - 1
长度 6.73 mm 6.6 mm 6.6 mm
高度 2.39 mm 2.4 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
宽度 - 6.2 mm 6.2 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99