IPB015N04NG和IPB015N04NGATMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPB015N04NG IPB015N04NGATMA1

描述 的OptiMOS ™ 3功率三极管 OptiMOS?3 Power-TransistorIPB015N04NGATMA1 编带

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-263 TO-263-3

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 250 W 250 W

上升时间 10 ns 10 ns

下降时间 13 ns 13 ns

额定功率 - 250 W

漏源极电压(Vds) - 40 V

连续漏极电流(Ids) - 120A

输入电容(Ciss) - 15000pF @20V(Vds)

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 250000 mW

封装 TO-263 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

含铅标准 - Lead Free

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