FQD7P06TF和STD10PF06T4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQD7P06TF STD10PF06T4 FQD7P06

描述 Trans MOSFET P-CH 60V 5.4A Automotive 3Pin(2+Tab) DPAK T/RSTMICROELECTRONICS  STD10PF06T4  晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -60 V, 0.18 ohm, -10 V, -4 VPower Field-Effect Transistor

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 TO-252-3 TO-252-3 -

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -

额定电流 -5.40 A -10.0 A -

漏源极电阻 450 mΩ 0.18 Ω -

极性 P-Channel P-Channel -

耗散功率 2.5 W 40 W -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -

栅源击穿电压 ±25.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 5.40 A 10.0 A -

上升时间 50 ns 40 ns -

输入电容(Ciss) 295pF @25V(Vds) 850pF @25V(Vds) -

下降时间 25 ns 10 ns -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 28W (Tc) 40W (Tc) -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 4 V -

漏源击穿电压 - 60 V -

额定功率(Max) - 40 W -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - 65 ℃ -

封装 TO-252-3 TO-252-3 -

长度 - 6.6 mm -

宽度 - 6.2 mm -

高度 - 2.4 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -

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