对比图
型号 FCP20N60 STP20NM60FD TK20D60U(Q)
描述 SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。STMICROELECTRONICS STP20NM60FD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 290 mohm, 10 V, 4 VTOSHIBA TK20D60U(Q) Power MOSFET, N Channel, 20A, 600V, 165mohm, 10V, 3V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝)
分类 中高压MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 - 1 1
漏源极电阻 0.15 Ω 290 mΩ 0.165 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 208 W 192 W 190 W
阈值电压 5 V 4 V 3 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V 600 V 600 V
上升时间 140 ns 12 ns 80 ns
下降时间 65 ns 22 ns 100 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ 55 ℃
额定电压(DC) 600 V 600 V -
额定电流 20.0 A 20.0 A -
额定功率 - 45 W -
针脚数 3 3 -
输入电容 3.08 nF 1.30 nF -
栅电荷 - 37.0 nC -
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 20.0 A 20.0 A -
输入电容(Ciss) 3080pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 208 W 192 W -
耗散功率(Max) 208W (Tc) 192W (Tc) -
长度 10.1 mm 10.4 mm 10.16 mm
宽度 4.7 mm 4.6 mm 4.45 mm
高度 9.4 mm 9.15 mm 15.1 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
包装方式 Tube Tube Tube
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -
ECCN代码 EAR99 - -