MMBD355LT1和MMBD355LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBD355LT1 MMBD355LT1G

描述 双热载流子二极管混频器 Dual Hot Carrier Mixer DiodesOn SemiconductorRF(射频)二极管,适用于 HF、射频及微波混合和检测应用。### 标准带 NSV- 或 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。### 二极管和整流器,ON Semiconductor

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 RF二极管RF二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 7.00 V 7.00 V

额定电流 80.0 mA 80.0 mA

无卤素状态 - Halogen Free

正向电压 - 0.6 V

耗散功率 225 mW 300 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) 225 mW 225 mW

长度 - 3.04 mm

宽度 - 1.4 mm

高度 - 1.01 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - EAR99

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