对比图
型号 CSD17302Q5A CSD17313Q2 CSD17327Q5A
描述 30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 6 8
封装 PowerTDFN-8 WSON-FET-6 VSON-8
通道数 - 1 1
针脚数 8 6 -
漏源极电阻 6.4 mΩ 0.024 Ω 15.5 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 3 W 2.3 W 3 W
阈值电压 1.2 V 1.3 V 1.6 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 - 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 87.0 A 5.00 A 13A
上升时间 8.4 ns 3.9 ns 8.2 ns
输入电容(Ciss) 950pF @15V(Vds) 340pF @15V(Vds) 506pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 3 W 2.3 W -
下降时间 3.1 ns 1.3 ns 3.2 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 3W (Ta) 2.3W (Ta) 3W (Ta)
长度 - 2 mm 6 mm
宽度 - 2 mm 4.9 mm
高度 - 0.8 mm 1 mm
封装 PowerTDFN-8 WSON-FET-6 VSON-8
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 正在供货 正在供货
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -