FDS6675和FDS6675BZ

对比图

型号 FDS6675 FDS6675BZ IRF7424TRPBF

描述 PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6675BZ  晶体管, MOSFET, P沟道, 11 A, -30 V, 0.0108 ohm, -10 V, -2 VINTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7424TRPBF  场效应管, MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) -30.0 V - -30.0 V

额定电流 -11.0 A - -11.0 A

通道数 1 1 -

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 14 mΩ 0.0108 Ω 0.0135 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

输入电容 3.00 nF - -

栅电荷 30.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V 30 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±25.0 V -

连续漏极电流(Ids) 11.0 A 11.0 mA -11.0 A

上升时间 16 ns 7.8 ns 23.0 ns

输入电容(Ciss) 3000pF @15V(Vds) 2470pF @15V(Vds) 4030pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 1 W 2.5 W

下降时间 100 ns 60 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) -

产品系列 - - IRF7424

阈值电压 - - 2.5 V

长度 5 mm 5 mm -

宽度 4 mm 4 mm -

高度 1.39 mm 1.5 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -