BSC077N12NS3G和BSC0902NSATMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSC077N12NS3G BSC0902NSATMA1 BSC0902NS

描述 120V,98A,N沟道功率MOSFETINFINEON  BSC0902NSATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0022 ohm, 10 V, 1.2 VINFINEON  BSC0902NS  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0022 ohm, 10 V, 1.2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

引脚数 8 8 8

封装 120 TDSON-8 PG-TDSON-8

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

额定功率 - 48 W -

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 0.0022 Ω 0.0022 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 - 48 W 48 W

阈值电压 - 1.2 V 1.2 V

漏源极电压(Vds) - 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) - 24A 24A

上升时间 - 5.2 ns 5.2 ns

输入电容(Ciss) - 1700pF @15V(Vds) 1700pF @15V(Vds)

下降时间 - 3.6 ns 3.6 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2500 mW 2.5W (Ta), 48W (Tc)

额定功率(Max) - - 48 W

长度 - 5.9 mm 5.9 mm

宽度 - 5.15 mm 5.15 mm

高度 - 1.27 mm 1.27 mm

封装 120 TDSON-8 PG-TDSON-8

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

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